Соединетите Американски Држави развиваат полупроводнички материјали со висока топлинска спроводливост за да го потиснат загревањето на чиповите.
Со зголемувањето на бројот на транзистори во чипот, компјутерските перформанси на компјутерот продолжуваат да се подобруваат, но високата густина, исто така, создава многу жаришта.
Без соодветна технологија за термичко управување, освен забавување на брзината на работа на процесорот и намалување на доверливоста, постојат и причини за Спречување на прегревање и бара дополнителна енергија, создавајќи проблеми со енергетската неефикасност.Со цел да се реши овој проблем, Универзитетот во Калифорнија во Лос Анџелес во 2018 година разви нов полупроводнички материјал со исклучително висока топлинска спроводливост, кој е составен од бор арсенид без дефекти и бор фосфид, кој е сличен на постоечките материјали за дисипација на топлина, како што се дијамант и силициум карбид.сооднос, со повеќе од 3 пати поголема топлинска спроводливост.
Во јуни 2021 година, Универзитетот во Калифорнија, Лос Анџелес, користеше нови полупроводнички материјали за комбинирање со компјутерски чипови со висока моќност за успешно да го потисне генерирањето топлина на чиповите, а со тоа да ги подобри перформансите на компјутерот.Истражувачкиот тим го вметна полупроводникот на бор арсенид помеѓу чипот и ладилникот како комбинација од ладилникот и чипот за да го подобри ефектот на дисипација на топлина и спроведе истражување за перформансите на термичко управување на вистинскиот уред.
По поврзувањето на подлогата од бор арсенид со полупроводникот со широк енергетски јаз, потврдено е дека топлинската спроводливост на интерфејсот на галиум нитрид/бор арсенид е висока до 250 MW/m2K, а топлинската отпорност на интерфејсот достигна исклучително мало ниво.Подлогата од бор арсенид е дополнително комбинирана со напреден транзисторски чип со висока мобилност на електрони, составен од алуминиум галиум нитрид/галиум нитрид, и се потврдува дека ефектот на дисипација на топлина е значително подобар од оној на дијамантот или силициум карбид.
Истражувачкиот тим управувал со чипот со максимален капацитет и го мери жариштето од собна до највисока температура.Експерименталните резултати покажуваат дека температурата на ладилникот со дијамант е 137°C, ладилникот со силициум карбид е 167°C, а ладилникот со бор арсенид е само 87°C.Одличната топлинска спроводливост на овој интерфејс доаѓа од уникатната структура на фононски опсег на борниот арсенид и интеграцијата на интерфејсот.Материјалот од бор арсенид не само што има висока топлинска спроводливост, туку има и мала интерфејс термичка отпорност.
Може да се користи како ладилник за да се постигне поголема работна моќ на уредот.Во иднина се очекува да се користи во безжична комуникација на долги растојанија и со голем капацитет.Може да се користи во областа на високофреквентна електроника или електронско пакување.
Време на објавување: август-08-2022 година