Слично на графенот, MXenes е метален карбид дводимензионален материјал составен од слоеви на атоми на титаниум, алуминиум и јаглерод, од кои секој има своја стабилна структура и лесно може да се движи помеѓу слоевите. Во март 2021 година, Државниот универзитет за наука и технологија во Мисури и Националната лабораторија Argonne спроведоа истражување за материјалите MXenes и открија дека својствата против абење и подмачкување на овој материјал во екстремни средини се подобри од традиционалните лубриканти на база на масло и може да се користат како „Супер лубрикант“ за намалување на абењето на идните сонди како што е Perseverance.
Истражувачите ја симулирале вселенската средина, а тестовите за триење на материјалот откриле дека коефициентот на триење на интерфејсот MXene помеѓу челичната топка и дискот обложен со силика формиран во „суперподмачкана состојба“ е низок од 0,0067 до 0,0017. Подобри резултати беа добиени кога графен беше додаден во MXene. Додавањето графен дополнително може да го намали триењето за 37,3% и да го намали абењето за фактор 2 без да влијае на својствата на суперподмачкување MXene. Материјалите MXenes се добро прилагодени на средини со висока температура, отворајќи нови врати за идна употреба на лубриканти во екстремни средини.
Најавен е напредокот во развојот на првиот процесен чип од 2 nm во САД
Тековен предизвик во индустријата за полупроводници е истовремено да се произведуваат помали, побрзи, помоќни и енергетски поефикасни микрочипови. Повеќето компјутерски чипови што ги напојуваат уредите денес користат процесна технологија од 10 или 7 нанометри, а некои производители произведуваат чипови од 5 нанометри.
Во мај 2021 година, корпорацијата IBM од Соединетите држави го објави напредокот во развојот на првиот светски процесен чип од 2 nm. Чип-транзисторот прифаќа трислојна нанометарска порта наоколу (GAA), користејќи ја најнапредната технологија за екстремна ултравиолетова литографија за да ја дефинира минималната големина, должината на портата на транзисторот е 12 нанометри, густината на интеграција ќе достигне 333 милиони на квадратен милиметар, а може да се интегрираат 50 милијарди.
Транзисторите се интегрирани во област со големина на нокт. Во споредба со чипот од 7 nm, процесниот чип од 2 nm се очекува да ги подобри перформансите за 45%, да ја намали потрошувачката на енергија за 75%, и може да го продолжи траењето на батеријата на мобилните телефони за четири пати, а мобилниот телефон може да се користи континуирано четири дена со само едно полнење.
Дополнително, новиот процесен чип може во голема мера да ги подобри перформансите на преносните компјутери, вклучително и подобрување на моќта за обработка на апликациите на лаптоп компјутерите и брзината на пристап до Интернет. Кај самоуправувачките автомобили, процесните чипови од 2 nm можат да ги подобрат способностите за откривање објекти и да го скратат времето на одговор, што во голема мера ќе го промовира развојот на полето на полупроводниците и ќе ја продолжи легендата за законот на Мур. IBM планира масовно производство на процесни чипови од 2 nm во 2027 година.
Време на објавување: 01.08.2022 година